型号:NSBC123EPDXV6T1G | 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:SOT-563,SOT-666 | 描述:TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 |
详细参数
类别 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
---|---|
描述 | TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
电流_集电极(Ic)111最大222 | 100mA |
电压_集电极发射极击穿111最大222 | 50V |
电阻器_基极(R1)111欧222 | 2.2k |
电阻器_发射极(R2)111欧222 | 2.2k |
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE) | 8 @ 5mA,10V |
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222 | 250mV @ 5mA,10mA |
电流_集电极截止111最大222 | 500nA |
频率_转换 | - |
功率_最大 | 500mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商设备封装 | SOT-563 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市世品佳电子有限公司 | 销售部0755-/83218466/83200833 |
深圳山琅电子科技有限公司 | 刘红样086-755-83229865 |
深圳市欧和宁电子有限公司 | 李小姐 0755-29275935 |
北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
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深圳市源美盛达科技有限公司 | 连13714579881 |
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晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
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TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
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1812(4532 公制)
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- NOJB226M010RWJ
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1210(3528 公制)
CAP NIOB OXIDE 22UF 10V 1210
- P1168.823NLT
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- NSBC124EPDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
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TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
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- HMK432B7225KM-T
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1812(4532 公制)
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- NOJC107M002SWJ
氧化铌
AVX Corporation
2312(6032 公制)
CAP NIOB OXIDE 100UF 2.5V 2312